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失效分析(FA)

2017-11-22 admin

应用说明:

对所有半导体制造商及晶片设计公司而言,分析元件失效的真正原因是非常必要的。


量测需求:

失效分析的流程主要有下面几个类别:

  • 依据漏电流或开路/短路量测,判断为电性或是功能失效

  • 利用热点及放射分析、雷射切割及次微米等级内部节点点测进行失效定位
  • 利用次微米探测或扫描式电子显微镜(SEM)、穿透式电子显微镜(TEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)、原子力显微镜(AFM)进行物理性失效分析

  • 微位移(micro-motion)分析为晶圆级量测其中一个类别,特别是微机电系统(MEMS)元件

  • 需于10 kV 测试环境下进行失效分析的高功率元件

MICROTEST 解決方案

      我们的解决方案可满足失效分析(FA )应用的所有需求,帮助您在最短时间内获得可靠、精准的量测结果。MPI高稳定度的工程探针台系统及精密的微定位器(MicroPositioners )为验证电性失效、定位以及除错提供最佳解决方案,搭配防震环境及高倍率显微镜,提供您点测微米结构的能力。可同步使用探针卡及微定位器(适用于待测物驱动与内部讯号量测)、于具备温控(最低可达-60°C )、光及电磁波屏蔽功能之TS2000-SETS200- SE探针台上量测微小讯号,以及其他先进量测技术的创新,皆仅是旺矽失效分析(  FA )测试解决方案中的一小部分。

      MPI工程探针台系统可轻松与显微镜(如日本Hamamatsu Photonics )进行整合搭配,以侦测及定位失效的积体电路。另一方面,TS150 /TS200-HP 探针台系统则是至高  10 kV 及600 A 高功率(High Power )元件等效分析的最佳选择。


南京宇微系统集成有限公司|探针台系统|MPI探针台|校准件|负载牵引系统|射频探针|微光显微镜|晶圆在片测试

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